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发信人: kop (Finding Love), 信区: Hardware
标 题: 六款DDR333极品内存超频比较
发信站: 荔园晨风BBS站 (Tue Mar 26 09:56:55 2002), 转信
六款DDR333极品内存超频比较
出处：PConline
责任编辑：fantasy
[02-3-25 10:30] 作者：Translator
关于DDR333──
为推行DDR333内存，VIA可谓不遗余力，最近强势推出了其支援AMD Athlon XP的KT
333芯片组，即将还会推出支援Pentium 4的P4X333。而SiS对DDR333的态度更是积极，于
去年第四季度就完成了他们的SiS645和SiS745。我们有理由相信，DDR333内存很快就会
在DIY市场形成需求。
不过Intel似乎不打算让它那即将下产的i845E和i845G向DDR333靠拢，而是把希望放
到未来（计划是今年下半段）的Granite Bay芯片组。Granite Bay支持533外频的P4，双
通道DDR333，AGP 8X和USB2.0，是一款非常值得期待的芯片组。要想知道DDR333能否完
全打入市场，我们还需等到年底，到时候就可以看到在Intel的号召下，DDR333是否可以
迅速成长。
在167 MHz时钟频率下，DDR333可提供333 MB/秒（PC2700）的数据传输速率。现在
会有不少人为了能买条合适的内存搭配自己的主板，更为了能超到比DDR266更高的外频
，而投靠这个风头正劲的家伙。同时已有越来越多的厂商推出自己的DDR333产品，将来
会有更多的用户会购买DDR333内存。本文将会集合6款即将或已推出市场的DDR333内存进
行对比，希望可帮助用户作出一个好的选择。
参与此次测评的内存如上图所示，包括：
Micron PC2700
Kingston PC2700（WinBond）
TwinMOS PC2700（WinBond）
Nanya PC2700
WinBond PC2700
KingMax PC2700
硬件测试系统──
CPU：AMD Athlon XP 1800+（1.533Ghz）
散热器：Thermalright AX-7
主板：EPoX 8K3A+（KT333CE），IWill XP333（Ali MAGiK1）
硬盘：Maxtor 40GB D740X-6L ATA133
显卡：Leadtek WinFast GeForce3 Titanium 200
软件：Windows 2000 Professional（SP2），NVIDIA 雷管 23.11版驱动，VIA 4-in-1
4.37，ALi 集成驱动1.06 版， DirectX 8.1，WCPUID,SiSoftware Sandra 2002 Profe
ssional
显示分辨率：1024x768x32
超频200MHz以上的高外频，我特别选用了IWill XP333这块板，缘于它的1/6 CPU/PCI分
频技术可避开PCI和AGP的速度限制，进而观察内存究竟能达到怎样的超频级别。Athlon
XP 1800+已被解锁且将倍频调低，因此处理器时脉也不成问题。现在工作重点就单单落
在内存上面，而其唯一的制约因素就是DIMM的电压供应。超频状态下，我将内存电压设
为2.8V。为了测试出内存模块能达到的最高外频，内存的时间参数将作常规设定。
选用EPoX 8K3A+是考虑到它优秀的内存性能，且在快速的时间参数下也能达到很高
的外频。而且这块板允许的最大内存电压为3.2V，这对增加大幅度超频的稳定性很有利
，我将内存的各项参数作出最优化设置，如上图所示，无论是在什么外频下，CAS都保持
为2T，因此可彻底查出这些DDR333的超频极限。
CAS : 2T
Bank Interleave : 4 way
Trp : 2T
Tras : 5T
Trcd : 2T
Burst Length : 8
Quene Depth : 4 level
Command Rate : 1T
Fast R-W Turn Around : Enabled
Continuous DRAM Request : Enabled
综合对比──
1号选手：Micron
Micron是世界上最大的内存颗粒制造商，旗下的Crucial是很有名的在线内存销售商
店和品牌，不少人都曾在线购买过Crucial有折扣的内存。当前的Crucial PC2100具有很
好的稳定性和质量，是许多消费者的首选。可以肯定未来的Crucial PC2700将在数月内
浮出市场。
MT46V32M8
技术规格
DDR333内存是高速的CMOS，工作在167 MHz（6纳秒）下，数据传输速率峰值达333M
B/每秒的随机动态存储器。DDR333延用遵从JEDEC标准的SSTL_2接口和2n预取架构。DDR
200/DDR266标准的数据表适用于DDR333设备，具体应参考DDR内存功能和操作模式，然而
，为了配合DDR333的高运作频率，部分AC时间参数稍为提高了。新增的数据表将为上涨
的内存外频提供必要的支持，是个关键差异。作为标准的66阵TSOP封装的补充，60针球
形FBGA封装也被应用到DDR333上，这种JEDEC制定的封装形式提供更好的寄存器包装并使
插脚更小。
部分特性
167 MHz 时钟频率，333 MHz 数据传输率
VDD = +2.5V +-.2V, VDDQ = +2.5V +-.2V
用于输出/接收数据的双向数据脉冲(DQS)，也就是数据源同步捕获 (每字节一个)
Double-Data-Rate (DDR)管道架构；每时钟周期两次数据存取
不同的时钟输入 (CK 和 CK#)
命令从每CK的正向进入
DQS 用于边缘校正数据以供读取和中心校正数据以供写入
DLL（Delay－Locked Loop，延时锁定环），辅助CK,校正DQ和DQS过渡
并行运算四路矩阵结构
Data mask (DM) 用于遮照数据写入
可编程的脉冲串长度: 2, 4,或 8
支持全自动同步预充电
全自动刷新和自刷新模式
可采用FBGA封装
2.5V I/O（兼容SSTL_2）
tRAS 锁定( tRAP = tRCD)
向后兼容DDR200和DDR266
达到的最高外频：199MHz
190/190MHz：2-2-2-5-1
搭配IWill XP333主板，这条Micron DDR333内存最高外频为199MHz，一个令我不够满意
的成绩。不过，另一点却让人十分惊奇，它在190MHz下使用最苛刻的时间设置2-2-2-5-
1，仍然稳定运作，在EPoX 8K3A+主板上得到的分数为2899/2658MB/秒。Micron素以质量
和客户服务好闻名，在这次超频中也没让我们失望。
2号选手：Kingston
此次参测的Kingston DDR333使用WinBond内存模块。金士顿科技（Kingston Technolo
gy）是世界上最大的内存独立组装商，产品面向桌面电脑，笔记本，服务器，工作站，
镭射印刷机，数码影像设备和掌上电脑等。金士顿内存畅销世界各地，它自身不生产内
存模块，而是向各大厂家如Infineon，Samsung，Hynix，Nanya，WinBond等采购。
W942508AH-6
技术规格
W942508AH具有8M容量，4路8位规格，采用流水线架构和1.75微米技术制造，提供的
数据带宽上限为256M/秒(-6)。为了完全遵从个人电脑工业标准，W942508AH分为3个等级
：-6，-7，-75。其中-6遵从166 MHz/CL2.5或说DDR333/CL2.5规格。所有输入参考CLK的
正向（DQ,DM和CKE除外），不同时钟的计时参考点是在过渡期间CLK和CLK信号交叉时。
读写数据与DQS(Data Strobe)双边同步。在具备可编程寄存器后，系统可以改变脉冲串
长度，延迟周期，交错或连续脉冲以获得最佳性能。W942508AH是高性能应用的理想内存
。
部分特性
2.5V +-0.1V电源供应
166 MHz外频
Double Data Rate架构，每时钟周期传输双倍数据
不同的时钟输入 (CK 和 CK#)
DQS 用于边缘校正数据以供读取和中心校正数据以供写入
CAS 延迟：2 和 2.5
脉冲串长度： 2，4 和 8
全自动刷新和自刷新模式
预充电和放电
数据写入遮照
写入延迟 = 1
8K 刷新周期 / 64毫秒
接口： SSTL-2
TSOP II 66针封装, 400 x 87毫米 , 针距0.65mm
达到的最高外频：214MHz
181/181MHz：2-2-3-5-1
Kingston DDR333在IWill XP333主板上能达到的最大外频是214MHz，非常不错。不
过，由于Kingston DDR333是用WinBond W942508AH-6内存模块制造的，在时间参数设为
2-2-2-5-1时，任何高于133MHz的外频都会遇到一些问题。经过调查，我发现问题在于P
recharge to Active(Trp)一项，超过133MHz外频时，必须将其设置为3T而不是2T。这样
改变后，Kingston DDR333可以在2-2-3-5-1下稳定运行在181MHz外频下。
3号选手：TwinMOS
TwinMOS于1998年在台湾新竹成立总部，营运中心也在新竹。TwinMOS的核心业务是完整
的内存模组产品线，如DDR DIMM / SO-DIMM，RIMM, SDR DIMM / SO-DIMM，SIMM等，还
有为桌面和笔记本电脑，服务器，工作站等订制内存方案。TwinMOS在台湾地区和许多亚
太国家扮演重要的内存角色，但在欧美国家的知名度并不高，不过自从我们测评过它的
TwinMOS PC166内存并引起不错的反响后，网上也渐渐流传起这个名字。
首批的TwinMOS PC2700内存条采用了TwinMOS自身的内存模块，但市场反应不加，因
此这次TwinMOS换用了WinBond的内存模块。新出品的TwinMOS PC2700将很快取代当前的
产品。
W942508AH-6
技术规格和特性已在前一Kingston DDR333中介绍过。
达到的最高外频：212MHz
179/179MHz：2-2-3-5-1
TwinMOS DDR333能达到的最高外频是212MHz(IWill XP333主板)，比Kingston的产品低
2MHz。虽然是使用同一种内存模块，但批次不同抑或是PCB板的质量差异导致了超频性能
有细微差别。TwinMOS DDR333能在2-2-3-5-1下稳定运行在179MHz下，又比Kingston低了
2MHz，另外同样存在不能在高于133MHz外频下将“Precharge to Active(Trp)”一项设
置为2T的问题。
4号选手：Nanya
南亚科技公司（Nanya Technology Corp）于1995年3月4日在台湾台北市林口成立。
早在去年第四季度，南亚就首先宣布要大量生产DDR333内存模块。因此现在南亚在DDR3
33产品的定位上相对其对手更有优势，成为龙头老大。
NT5DS16M8AT-6
技术规格
这个128MB DDR内存包含了134,217,728个字节位。一个简单的读写动作，由2n-位宽
度组成，一个时钟周期内数据在内存核心和相应的n-位宽度空间交换，另一个半周期内
数据在输入/输出针脚里交换。双向数据(DQS)在表面上传送，DQS是用于边缘校正数据以
供读取和中心校正数据以供写入。
部分特性
DDR架构：每时钟周期传输双倍数据
双向数据脉冲(DQS), 用于捕获接收端数据
不同的时钟输入 (CK和CK)
并行运算四路矩阵结构
Data mask (DM) 用于遮照数据写入
全自动刷新和自刷新模式
平均最大15.6ms 周期刷新间隔
2.5V (兼容SSTL_2) 输入/输出电压
V DDQ = 2.5V +-0.2V
V DD = 2.5V +-0.2V
-6 速度等级：支持PC2700模组
-66 速度等级：支持PC2400模组
66针 TSOP-II封装
DLL 协同CK，校正DQ和DQS过渡，同时也在读取周期内校正QFC过渡
命令从每CK的正向进入，数据和数据遮照双向参考于DQS
脉冲串长度：2, 4, 或 8
CAS 延迟：2, 2.5
每一突发存取动作的自动预充电处理
达到的最高外频：186MHz
182/182MHz : 2-2-3-5-1
Nanya DDR333能达到的最大外频是186MHz，相对其它内存要低不少。看来Nanya似乎
对超高的外频不太感兴趣。不过，这款内存的性能还不算太差，在2-2-3-5-1下能稳定运
行在182MHz下。Nanya的内存存在有与WinBond模块相同的问题，即在133MHz以上的外频
下，必须设置为3T而不是2T。
5号选手：Winbond
金邦电子公司于1987年在台湾新竹科技工业园成立，Winbond是台湾最大IC供应商品牌
，集研究，开发，设计，加工，制造，销售及客户服务于一体，专门面向数码消费者，
多媒体，通讯等领域，产品除SRAM和DRAM外，还有闪存，电脑逻辑IC片等。
细心一看，这条原装的Winbond DDR333内存的零件代号与前面的Kingston和TwinMO
S所用的芯片代号不同，虽然两者说明书说是完全相同，但超频能力表明它们是不一样的
。
W942508BH-6
技术规格
W942508BH初始字节位为8,388,608，4路8位规格。采用流水线架构和0.175微米加工
工艺，分别有3个速度等级： -6 ,-7, -75。读写数据与DQS(Data Strobe)双边同步。在
具备可编程寄存器后，系统可以改变脉冲串长度，延迟周期，交错或连续脉冲以获得最
佳性能。从数据看W942508BH和W942508AH一样，是高性能应用的理想内存。
部分特性
2.5V +-0.1V电源供应
可上166 MHz 时钟频率
Double-Data-Rate (DDR)管道架构；每时钟周期两次数据存取
不同的时钟输入 (CK 和 CK#)
DQS 用于边缘校正数据以供读取和中心校正数据以供写入
CAS 延迟：2.5
脉冲串长度： 2，4 和 8
全自动刷新和自刷新模式
预充电和放电
数据写入遮照
写入延迟 = 1
8K 刷新周期 / 64毫秒
接口： SSTL-2
TSOP II 66针封装, 400 x 875微米 , 针距0.65mm
达到的最高外频：215MHz
192/192MHz : 2-2-2-5-1
Winbond DDR333的外频高达215MHz，比Kingston和TwinMOS都高。最喜人的是，WinBon
d W942508BH-6内存模块可以在2-2-2-5-1顺利运行在192高频下！我想这种内存模块应该
是极品了，比能上190MHz的Micron 内存还好，对这种内存模组你可要睁大眼睛留意！
6号选手：Kingmax
Kingmax半导体有限公司公司成立于1989年，是主要的内存生产商。1997年，Kingmax就
发布了世界上第一块TinyBGA封装的内存模块。这个获奖的TinyBGA封装技术室的该公司
可以在保留小板的情况下，把PC-133/150/166内存增大3倍容量直达512MB。
MPLB2D-68KX3
技术规格
Kingmax MPLB62D-68KX3是32兆位x64的高密度DDR内存模块，4路8位，在184针的玻
璃环氧树脂基板上采用54针TinyBGA封装。每块基板上平行排列有0.1uF的滤波电容器。
MPLB62D-68KX3双列直插的布线是为了配合184针脚接口。同步的设计允许系统时钟进行
精确的周期控制，每一时钟周期都可以进行输入/输出处理。操作频率的范围调节，可编
程的延迟和脉冲串长度控制，使得它在许多高带宽，高内存系统性能的应用中很具优势
。
部分特性
Vdd: 2.5V +-0.2V
CAS 延迟：2.5
脉冲串长度： 2，4 和 8
数据打散，交错技术
EEPROM连续的存在探测
PCB板：高1180微米，零件双面分布
达到的最高外频：217MHz
180/180MHz : 2-2-2-5-1
这条Kingmax内存能达到的外频高度十分惊人：217MHz，然而，在苛刻的2-2-2-5-1
下测试，它只能上到180MHz，不过仍算是不错，在高于133MHz外频下最优化设置内存每
遇到任何问题。
总结──
在艾葳的XP333主板上，Kingmax的外频达到了超高的217MHz，是最高的数值。基于Win
bond内存模块的Kingston，TwinMOS和原版Winbond表现也相当不错，在212到215MHz之间
。Micron差点冲破200MHz，而Nanya的186MHz外频则是最低的。当然，这些都是基于常规
内存设置得出的数值，下面的那些在最优时间设置下得出的数值更为重要，它们能发挥
内存的最佳性能。
在最优化的2-2-2-5-1时间设置下，只有3款内存经受住考验，剩下的都被“Trp 3T”一
项拖了后腿。原装Winbond内存条冲上192MHz高频成为第一，Micron的产品以190MHz紧跟
其后，而Kingmax远落后在180MHz
为了公正对比全部内存，我们增加了2-2-3-5-1的测试。这一次Winbond以194MHz再次夺
魁，成绩比在2-2-2-5-1下稍稍高出2MHz，Micron以191MHz的成绩紧跟其后。其他四款内
存Kingston，TwinMOS，Nanya和KingMax成绩接近，互不相让，分别在179MHz和183MHz之
间。
--
我不是一支恣意窜逃的箭
而是一个威灵的射手
把自我射向
更远的
流浪
※ 来源:·荔园晨风BBS站 bbs.szu.edu.cn·[FROM: 203.93.19.1]
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